牵引逆变器推出新型SiC技术，更快的开关速度
这类系统能够实现更快的充电速度，同时减轻电动汽车的重量，使得汽车制造商能够生产出续航里程更长的高端车型。
尽管电动汽车市场在不断增长，但要实现广泛应用仍面临一些挑战。为解决这些问题，一个明显的趋势是开发基于碳化硅(SiC)的800伏特电动汽车总线驱动系统。
牵引逆变器推出新型SiC技术
这类系统能够实现更快的充电速度，同时减轻电动汽车的重量，使得汽车制造商能够生产出续航里程更长的高端车型。在这一领域，意法半导体已经推出了第四代STPOWER SiC MOSFET。第四代技术提高了汽车和工业市场产品的功率效率和功率密度。
意法半导体计划在2025年全年增加750伏特和1200伏特级别的产量，目的是将SiC的优势从高端汽车扩展到中型和紧凑型电动汽车。电动汽车依赖牵引逆变器将车辆电池中储存的高压直流电转换为驱动交流牵引电机。考虑到高功率开关和可能涉及的高dv/dt瞬变，牵引逆变器必须非常坚固可靠。
意法半导体的新型750伏特和1200伏特SiC MOSFET器件预计将提高400伏特和800伏特电动汽车总线牵引逆变器的能效和性能。
据称，SiC技术同样适用于多种高功率工业应用，包括太阳能逆变器、储能解决方案和数据中心，从而提升这些快速增长的应用的能源效率。
据意法半导体称，与前几代产品相比，第四代SiC MOSFET的导通电阻(RDS(on))显著降低，最小化了导通损耗，并提高了整体系统效率。它们提供更快的开关速度，从而降低开关损耗，这对于高频应用至关重要，并且能够实现更紧凑、更高效的电源转换器。
意法半导体的SiC技术进展：
第四代SiC技术：完成了750V级别资格认证，预计2025年第一季度将完成1,200 V级别的资格认证。
商业应用：随后，750 V和1,200 V的SiC器件将投入商业使用，适用于从标准交流线路电压到高压EV电池和充电器的应用需求。
技术创新：正在并行开发多项SiC技术创新，第五代SiC功率器件将采用基于平面结构的高功率密度技术。
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